格隆汇9月11日｜德国芯片制造商英飞凌(Infineon)公布，已开发全球首款12吋氮化镓(GaN)晶圆技术，以满足高耗能人工智能数据中心及电动车对功率半导体快速增长的需求。公司表示，首批予客户的试用样板将会在明年第四季推出，并指使用更大的氮化镓晶圆进行芯片生产将更有效率。
英飞凌开发全球首款12吋氮化镓晶圆技术
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格隆汇9月11日｜德国芯片制造商英飞凌(Infineon)公布，已开发全球首款12吋氮化镓(GaN)晶圆技术，以满足高耗能人工智能数据中心及电动车对功率半导体快速增长的需求。公司表示，首批予客户的试用样板将会在明年第四季推出，并指使用更大的氮化镓晶圆进行芯片生产将更有效率。
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